Eines Tages brauchte ich für eines meiner Projekte einen leistungsstarken Mosfet. Es musste ein großer Strom von etwa 500 Ampere geschaltet werden. Und dann kam mir die Idee, einen separaten, modularen Verbundtransistor herzustellen.
Aus Mosfets mit geringem Stromverbrauch musste ein leistungsstarker zusammengebaut werden. Glücklicherweise sind diese Transistoren gut angeordnet und funktionieren einwandfrei, wenn sie parallel zueinander geschaltet werden.
Wird benötigt
- Transistoren - 50N06 - 12 Stück -
- Metallkleber, Kaltschweißen -
- Epoxidharz.
- Textolite-Platte zur Installation.
- Flussmittel und Lot.
Der Prozess der Herstellung eines leistungsstarken Transistors mit eigenen Händen
Wir stellen die Platine mit jeder verfügbaren Methode her.
Wir ätzen es in Eisenchlorid und spülen es dann gut aus.
Wir löten die technologischen Brücken und verzinnen die Leiterbahnen der Platine.
Wir löten die Feldeffekttransistoren. Dieser Verbundtransistor verwendet 12 Mosfets der 50N06-Serie in einem TO-252-Gehäuse. Alle Teile sind ohne Korrekturschaltungen parallel geschaltet.
Die Kontakte bestehen aus dickem Kupferdraht.
Vor dem Löten können Sie den dicken Draht vorübergehend mit dem dünnen Draht verbinden und ihn dann entfernen.
Wir waschen die Platine vom Flussmittel.
Wir kleben die Basis der Kontakte mit Epoxidharz.
Aus einem dicken Aluminiumblech schneiden wir ein wärmeleitendes Substrat für den Transistor aus.
Wir bohren ein Loch für die spätere Montage am Kühler.
Wir „pflanzen“ die Platte auf wärmeleitenden Kleber – Kaltschweißen.
Um den Transistor vollständig sichtbar zu machen, fertigen wir ein Gehäuse zum Gießen aus Plexiglas.
Mischen Sie Epoxidharz in dem in der Anleitung angegebenen Verhältnis.
Fülle das Formular aus. und trocknen lassen.
Wir entfernen den Plexiglaskörper.
Fast bereit dazu.
Jetzt müssen nur noch die Markierungen angebracht werden. Machen wir das mit einem Laser.
Wir reiben die Vertiefungen mit Farbe ein.
Der Leistungs-MOSFET-Transistor ist betriebsbereit.
